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APD雪崩光电二极管同轴探测器

特性及应用

特性

低暗电流,超低噪声

高速率,高互阻抗增益

高线性度,高可靠性

符合RoHS标准

 

主要应用

OTDR设备

高速分析仪器、激光测距仪


 

主要光电性能指标(T=25℃)

参数

符号

最小值

典型值

最大值

单位

说明

工作波长

λ

900

1700

nm


光谱响应度

R

0.85

A/W

M=1λ=1310nm

-20dBm

暗电流

Id

10

nA

Vr=Vbr3V

增益

M

10


λ=1310nm,Vr=Vbr3V,  1uW

电容

C

0.4

0.5

pF

Vr=Vbr3V,

F=1MHz

-3dB带宽

BW

2.5

GHz

M=10,RL=50Ω

反向击穿电压

Vbr

38

45

51

V

Id=10uA

ESD

ESD

500

V


正向电流

If

5

mA


工作温度

Top

-25

+25

+85


储存温度

Tstg

-40

+25

+85


焊接温度


260


焊接时间


10

s


 


 

订购信息Ordering Information

P

N

1   

W   

SM

0.9

B01

- APD

P:尾纤式

R:插拔式

 

接头类型SA:SC/APC

FA:FC/APC

LA:LC/APC

SU:SC/UPC

FU:FC/UPC

LU:LC/UPC

Nnone

外形尺寸

1=φ5.6mm

2=φ6.5mm

3=φ4.0mm

 波长

W=1260~1650

31=1310

55=1550

1315=1310/1550

8531=850/1310

光纤类型

SM9/125um

(G.652D)

M5:多模光纤MM50/125um

M6:多模光纤MM62.5/125um

7G.657抗弯曲光纤

光纤尺寸0.25=250um  bare fiber

0.9=900um  loose fiber

 

引脚定义

AType A

BType B

数字部分:

01: chip代码(我司内部定义)

APD:雪崩光电二极管

 

 

其他详细资料请参阅产品规格书或咨询销售人员。


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